Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

Tellurure d'antimoine Sb₂Te₃|Al₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

La description

Tellurure d'antimoineSb₂Te₃, un semi-conducteur composé du groupe VA, éléments VIA du tableau périodique.Avec structure hexagonale-rhomboédrique, densité 6,5 g/cm³, point de fusion 620^oC, bande interdite 0,23 eV, CAS 1327-50-0, MW 626,32, il est soluble dans l'acide nitrique et incompatible avec les acides, insoluble dans l'eau et stabilité ininflammable.Le tellurure d'antimoine appartient aux trichalcogénures de métalloïdes du groupe 15, Sb₂Te₃les cristaux ont une taille latérale typique, une forme rectangulaire et un aspect métallique, les couches sont empilées via des interactions de van der Waals et peuvent être exfoliées en fines couches 2D.Préparé par la méthode Bridgman, le tellurure d'antimoine est un semi-conducteur, un isolant topologique et un matériau thermoélectrique, des matériaux de cellules solaires, une évaporation sous vide.Pendant ce temps, Qn2Te3est un matériau de base important pour les mémoires à changement de phase hautes performances ou les applications de stockage de données optiques.Les composés de tellurure trouvent de nombreuses applications en tant que matériau électrolyte, dopant semi-conducteur, affichage QLED, champ IC, etc. et d'autres domaines matériels.

Livraison

Tellurure d'antimoine Sb₂Te₃et Tellurure d'Aluminium Al₂Te₃, Tellurure d'arsenic As₂Te₃, Bismuth Tellurure Bi₂Te₃, Tellurure de gallium Ga₂Te₃chez Western Minmetals (SC) Corporation avec 4N 99,99% et 5N 99,999% de pureté sont disponibles sous forme de poudre -60mesh, -80mesh, granule 1-6mm, morceau 1-20mm, morceau, cristal en vrac, tige et substrat etc ou comme personnalisé spécification pour atteindre une solution parfaite.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Composés telluriques

Composés telluriquesfont référence aux éléments métalliques et aux composés métalloïdes, qui ont une composition stoechiométrique changeant dans une certaine plage pour former une solution solide à base de composés.Le composé intermétallique est de ses excellentes propriétés entre le métal et la céramique, et devient une branche importante des nouveaux matériaux de structure.Composés telluriques d'antimoine Tellurure Sb₂Te₃, Tellurure d'aluminium Al₂Te₃, Tellurure d'arsenic As₂Te₃, Bismuth Tellurure Bi₂Te₃, Tellurure de Cadmium CdTe, Tellurure de Cadmium Zinc CdZnTe, Tellurure de Cadmium Manganèse CdMnTe ou CMT, Tellurure de Cuivre Cu₂Te, tellurure de gallium Ga₂Te₃, Tellurure de germanium GeTe, Tellurure d'indium InTe, Tellurure de plomb PbTe, Tellurure de molybdène MoTe₂, Tellurure de tungstène WTe₂et ses composés (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) et les composés de terres rares peuvent être synthétisés sous forme de poudre, de granulé, de bloc, de barre, de substrat, de cristal en vrac et de monocristal…

Non.	Article	Spécification standard
Non.	Article	Formule	Pureté	Taille et emballage
1	Tellurure de zinc	ZnTe	5N	-60mesh, -80mesh poudre, morceau irrégulier 1-20mm, granule 1-6mm, cible ou blanc. 500g ou 1000g dans une bouteille en polyéthylène ou un sac composite, boîte en carton à l'extérieur. La composition des composés de tellurure est disponible sur demande. Les spécifications et applications spéciales peuvent être personnalisées pour une solution parfaite
2	Tellurure d'arsenic	As₂Te₃	4N 5N
3	Tellurure d'antimoine	qn₂Te₃	4N 5N
4	Tellurure d'aluminium	Al₂Te₃	4N 5N
5	Tellurure de bismuth	Bi₂Te₃	4N 5N
6	Tellurure de cuivre	Cu₂Te	4N 5N
7	Tellurure de cadmium	CdTe	5N 6N 7N
8	Tellurure de cadmium-zinc	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	Tellurure de cadmium et de manganèse	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	Tellurure de gallium	Ga₂Te₃	4N 5N
11	Tellurure de germanium	Gete	4N 5N
12	Tellurure d'indium	InTe	4N 5N
13	Tellurure de plomb	PbTe	5N
14	Tellurure de molybdène	MoTe₂	3N5
15	Tellurure de tungstène	WTe₂	3N5

Tellurure d'aluminium

Tellurure d'aluminium Al₂Te₃ouTriturium Dialuminium, CAS 12043-29-7, PM 436,76, densité 4,5 g/cm³, sans odeur, est un cristal hexagonal gris-noir et stable à température ambiante, mais se décompose en tellurure d'hydrogène et en hydroxyde d'aluminium dans l'air humide.Tellurure d'aluminium Al₂Te₃,peut être formé en faisant réagir Al et Te à 1000°C, le système binaire Al-Te contient les phases intermédiaires AlTe, Al₂Te₃(phase α et phase β) et Al₂Te₅, La structure cristalline de α- Al₂Te₃est monoclinique.Tellurure d'aluminium Al₂Te₃est principalement utilisé pour les matières premières pharmaceutiques, les semi-conducteurs et les matériaux infrarouges.Tellurure d'aluminium Al₂Te₃chez Western Minmetals (SC) Corporation avec 4N 99,99% et 5N 99,999% de pureté est disponible sous forme de poudre, granule, morceau, morceau, cristal en vrac, etc. ou en tant que spécification personnalisée avec emballage sous vide par bouteille ou sac composite.

Tellurure d'arsenic

Tellurure d'arsenic ou ditellurure d'arsenic comme₂Te₃, un composé binaire des groupes I-III, est en deux Alpha-As cristallographiques₂Te₃et Bêta-As₂Te₃, dont Beta-As₂Te₃à structure rhomboédrique, présente des propriétés thermoélectriques (TE) intéressantes en ajustant la teneur en alliages.Tellurure d'arsenic polycristallin As₂Te₃composé synthétisé par la métallurgie des poudres peut être une plateforme intéressante pour concevoir de nouveaux matériaux TE à haut rendement.Des monocristaux d'As2Te3 sont préparés par voie hydrothermique en chauffant et en refroidissant progressivement un mélange de quantités stoechiométriques d'As et de Te en poudre dans une solution de HCl à 25 % p/p.Il est principalement utilisé comme semi-conducteurs, isolants topologiques, matériaux thermoélectriques.Tellurure d'arsenic As₂Te₃chez Western Minmetals (SC) Corporation avec une pureté de 99,99% 4N, 99,999% 5N peut être livré sous forme de poudre, de granulés, de morceaux, de morceaux, de cristaux en vrac, etc. ou selon des spécifications personnalisées.

Tellurure de bismuth

Tellurure de bismuth Bi₂Te₃, type P ou type N, n° CAS 1304-82-1, MW 800,76, densité 7,642 g/cm³, point de fusion 585⁰C, est synthétisé par un processus de cristallisation contrôlée par fusion sous vide, notamment avec la méthode Bridgman-Stockbarber et la méthode Zone-floating.En tant que matériau semi-conducteur thermoélectrique, l'alliage pseudo-binaire Bismuth Telluride présente les meilleures caractéristiques pour les applications de refroidissement thermoélectrique à température ambiante pour les dispositifs de refroidissement polyvalents miniaturisés dans un large éventail d'équipements et de génération d'énergie dans les véhicules spatiaux.En utilisant des monocristaux orientés de manière appropriée au lieu de polycristallins, l'efficacité du dispositif thermoélectrique (refroidisseur thermoélectrique ou générateur thermoélectrique) pourrait être considérablement augmentée, ce qui peut être fondé dans la réfrigération des semi-conducteurs et la production d'énergie à différence de température déposée, ainsi que pour les dispositifs optoélectroniques et Bi2Te3 mince matériel cinématographique.Tellurure de bismuth Bi₂Te₃chez Western Minmetals (SC) Corporation est en taille de poudre, granule, morceau, tige, substrat, cristal en vrac, etc. à livrer avec une pureté 4N 99,99% et 5N 99,999%.

Tellurure de gallium

Tellurure de gallium Ga₂Te₃est un cristal noir dur et cassant avec MW 522.24, CAS 12024-27-0, point de fusion de 790℃ et densité 5.57g/cm³.Le monocristal Gallium Telluride GaTe est développé en utilisant différentes techniques de croissance telles que Bridgman Growth, Chemical Vapor Transport CVT ou Flux Zone Growth pour optimiser la taille des grains, la concentration des défauts, la cohérence structurelle, optique et électronique.Mais la technique de zone de flux est une technique sans halogénure utilisée pour synthétiser des cristaux vdW de qualité véritablement semi-conducteur, qui se distingue de la technique CVT de transport de vapeur chimique pour assurer une cristallisation lente pour une structure atomique parfaite et une croissance cristalline sans impuretés.Gallium Telluride GaTe est un semi-conducteur en couches appartenant au cristal de composé métallique III-VI avec deux modifications, qui sont stables α-GaTe d'un β-GaTe monoclinique et métastable de structure hexagonale, de bonnes propriétés de transport de type p, une bande directe- écart de 1,67 eV dans la masse, la phase hexagonale se transforme en phase monoclinique à haute température.Le semi-conducteur en couches de Tellurure de Gallium possède des propriétés intéressantes attractives pour de futures applications opto-électroniques.Tellurure de gallium Ga₂Te₃chez Western Minmetals (SC) Corporation avec une pureté de 99,99% 4N, 99,999% 5N peut être livré sous forme de poudre, de granule, de morceau, de morceau, de tige, de cristal en vrac, etc. ou selon des spécifications personnalisées.

Conseils d'approvisionnement

Échantillon disponible sur demande
Livraison de marchandises en toute sécurité par courrier/air/mer
Gestion de la qualité COA/COC
Emballage sécurisé et pratique
Emballage standard UN disponible sur demande

Certifié ISO9001:2015
Conditions CPT/CIP/FOB/CFR selon les Incoterms 2010
Conditions de paiement flexibles T/TD/PL/C acceptables
Services après-vente complets
Inspection de la qualité par des installations à la pointe de la technologie

Approbation des réglementations Rohs/REACH
Accords de non-divulgation NDA
Politique minière non conflictuelle
Examen régulier de la gestion environnementale
Réalisation de la responsabilité sociale

Sb₂Te₃ Al₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃

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