Nitrure de gallium GaN

La description

Nitrure de gallium GaN, CAS 25617-97-4, masse moléculaire 83,73, structure cristalline wurtzite, est un semi-conducteur à bande interdite directe composé binaire du groupe III-V développé par une méthode de processus ammonothermique hautement développée.Caractérisé par une qualité cristalline parfaite, une conductivité thermique élevée, une mobilité électronique élevée, un champ électrique critique élevé et une large bande interdite, le nitrure de gallium GaN présente des caractéristiques souhaitables dans les applications optoélectroniques et de détection.

Applications

Le nitrure de gallium GaN convient à la production de composants LED à diodes électroluminescentes lumineuses à haute vitesse et à haute capacité, de dispositifs laser et optoélectroniques tels que des lasers verts et bleus, des produits à transistors à haute mobilité électronique (HEMT) et à haute puissance et l'industrie de fabrication d'appareils à haute température.

Livraison

Le nitrure de gallium GaN de Western Minmetals (SC) Corporation peut être fourni en taille de plaquette circulaire de 2 pouces ou 4 pouces (50 mm, 100 mm) et de plaquette carrée de 10 × 10 ou 10 × 5 mm.Toutes les tailles et spécifications personnalisées sont la solution parfaite pour nos clients du monde entier.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Nitrure de gallium GaN

Nitrure de gallium GaNchez Western Minmetals (SC) Corporation peut être fourni en taille de plaquette circulaire 2 pouces ”ou 4” (50mm, 100mm) et plaquette carrée 10×10 ou 10×5 mm.Toutes les tailles et spécifications personnalisées sont la solution parfaite pour nos clients du monde entier.

Non.	Articles	Spécification standard
1	Forme	Circulaire	Circulaire	Carré
2	Taille	2"	4"	--
3	Diamètre mm	50,8±0,5	100±0.5	--
4	Longueur latérale mm	--	--	10x10 ou 10x5
5	Méthode de croissance	PEHV	PEHV	PEHV
6	Orientation	Plan C (0001)	Plan C (0001)	Plan C (0001)
7	Type de conductivité	Type N/dopé Si, non dopé, semi-isolant
8	Résistivité Ω-cm	<0.1, <0.05, >1E6
9	Épaisseur μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Arc μm max	20	20	20
12	DEP cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Finition de surface	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Rugosité de surface	Avant : ≤0,2 nm, arrière : 0,5-1,5 μm ou ≤0,2 nm
15	Emballage	Récipient de plaquette unique scellé dans un sac en aluminium.

Formule linéaire	GaN
Masse moléculaire	83,73
Structure en cristal	Blende de zinc/Wurtzite
Apparence	Solide translucide
Point de fusion	2500°C
Point d'ébullition	N / A
Densité à 300K	6,15 g/cm³
Déficit énergétique	(3.2-3.29) eV à 300K
Résistivité intrinsèque	>1E8 Ω-cm
Numero CAS	25617-97-4
Numéro CE	247-129-0

Nitrure de gallium GaNest adapté à la production de composants LED à diodes électroluminescentes lumineuses à haute vitesse et haute capacité, de dispositifs laser et optoélectroniques tels que des lasers verts et bleus, des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) et à haute puissance et haute industrie de fabrication d'appareils de température.