Composés d'arséniure
Composés d'arséniure font principalement référence aux éléments métalliques et aux composés métalloïdes, dont la composition stoechiométrique change dans une certaine plage pour former une solution solide à base de composés.Le composé intermétallique est de ses excellentes propriétés entre le métal et la céramique, et devient une branche importante des nouveaux matériaux de structure.Outre l'arséniure de gallium GaAs, l'arséniure d'indium InAs et l'arséniure de niobium NbAs ou Nb5As3peut également être synthétisé sous forme de poudre, granule, morceau, barre, cristal et substrat.
Cadmium Arséniure Cd3As2et arséniure de gallium GaAs, arséniure d'indium InAs et arséniure de niobium NbAs ou Nb5As3chez Western Minmetals (SC) Corporation avec une pureté de 99,99% 4N et 99,999% 5N est en taille de micropoudre polycristalline -60mesh, -80mesh, nanoparticule, morceau 1-20mm, granule 1-6mm, morceau, blanc, cristal en vrac et monocristal etc. ., ou comme spécification personnalisée pour atteindre la solution parfaite.
| Non. | Article | Spécification standard | ||
| Pureté | Impureté PPM Max chacun | Taille | ||
| 1 | Arséniure de CadmiumCd3As2 | 5N | Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0 | -60mesh -80mesh en poudre, morceau de 1-20mm, granule de 1-6mm |
| 2 | Arséniure de gallium GaAs | 5N 6N 7N | La composition de GaAs est disponible sur demande | |
| 3 | Arséniure de niobium NbAs | 3N5 | La composition NbAs est disponible sur demande | |
| 4 | Arséniure d'indium InAs | 5N 6N | La composition InAs est disponible sur demande | |
| 5 | Emballage | 500g ou 1000g dans une bouteille en polyéthylène ou un sac composite, boîte en carton à l'extérieur | ||
Arséniure de gallium
Arséniure de gallium GaAs, un matériau semi-conducteur à écart direct composé III – V avec une structure cristalline de zinc blende, est synthétisé par des éléments de gallium et d'arsenic de haute pureté, et peut être tranché et fabriqué en tranche et en blanc à partir d'un lingot cristallin unique développé par la méthode de congélation à gradient vertical (VGF) .Grâce à sa mobilité de salle saturante et à sa haute stabilité de puissance et de température, ces composants RF, circuits intégrés micro-ondes et dispositifs LED fabriqués par elle atteignent tous d'excellentes performances dans leurs scènes de communication haute fréquence.Parallèlement, son efficacité de transmission de la lumière UV lui permet également d'être un matériau de base éprouvé dans l'industrie photovoltaïque.La plaquette GaAs d'arséniure de gallium de Western Minmetals (SC) Corporation peut être livrée jusqu'à 6 "ou 150 mm de diamètre avec une pureté de 6N 7N, et un substrat de qualité mécanique d'arséniure de gallium est également disponible. Pendant ce temps, une barre, un morceau et un granule polycristallin d'arséniure de gallium, etc. avec pureté de 99,999 % 5N, 99,9999 % 6N, 99,99999 % 7N fournis par Western Minmetals (SC) Corporation sont également disponibles ou selon des spécifications personnalisées sur demande.
Arséniure d'indium
Arséniure d'indium InAs, un semi-conducteur à bande interdite directe cristallisant dans la structure de mélange de zinc, composé d'éléments d'indium et d'arsenic de haute pureté, cultivés par la méthode Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), peut être découpé en tranches et fabriqué en tranche à partir d'un lingot cristallin unique.En raison de la faible densité de dislocations mais du réseau constant, InAs est un substrat idéal pour soutenir davantage les structures hétérogènes InAsSb, InAsPSb et InNAsSb, ou la structure de super-réseau AlGaSb.Par conséquent, il joue un rôle important dans la fabrication de dispositifs émetteurs infrarouges à gamme d'ondes de 2 à 14 μm.En outre, la mobilité suprême du hall mais la bande interdite d'énergie étroite d'InAs lui permettent également de devenir un excellent substrat pour la fabrication de composants de hall ou d'autres dispositifs laser et à rayonnement.L'arséniure d'indium InAs de Western Minmetals (SC) Corporation avec une pureté de 99,99 % 4N, 99,999 % 5N, 99,9999 % 6N peut être livré dans un substrat de 2" 3" 4" de diamètre. Pendant ce temps, un bloc polycristallin d'arséniure d'indium chez Western Minmetals (SC ) Corporation est également disponible ou en tant que spécification personnalisée sur demande.
Arséniure de niobium
NArséniure d'iobium Nb5As3 or ANB,solide cristallin blanc cassé ou gris, n° CAS 12255-08-2, poids de formule 653,327 Nb5As3et 167.828 NbAs, est un composé binaire de Niobium et d'Arsenic avec la composition NbAs,Nb5As3, NbAs4…etc synthétisé par la méthode CVD, ces sels solides ont des énergies de réseau très élevées et sont toxiques en raison de la toxicité inhérente de l'arsenic.L'analyse thermique à haute température montre que les NdA présentaient une volatilisation de l'arsenic lors du chauffage. L'arséniure de niobium, un semi-métal de Weyl, est un type de matériau semi-conducteur et photoélectrique utilisé dans les applications pour les semi-conducteurs, la photo-optique, les diodes électroluminescentes laser, les points quantiques, les capteurs optiques et de pression, comme intermédiaires, et pour fabriquer des supraconducteurs, etc. Arséniure de niobium Nb5As3ou NbAs chez Western Minmetals (SC) Corporation avec une pureté de 99,99% 4N peut être livré sous forme de poudre, de granule, de morceau, de cible et de cristal en vrac, etc. ou selon des spécifications personnalisées, qui doivent être conservées dans un récipient bien fermé et résistant à la lumière , endroit sec et frais.
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