Antimoniure de gallium GaSb

La description

Antimoniure de gallium GaSb, un semi-conducteur des composés du groupe III – V avec une structure de réseau de mélange de zinc, est synthétisé par des éléments de gallium et d'antimoine de haute pureté 6N 7N, et transformé en cristal par la méthode LEC à partir d'un lingot polycristallin congelé directionnellement ou d'une méthode VGF avec EPD<1000cm^-3.La tranche de GaSb peut être découpée en tranches et fabriquée ensuite à partir d'un lingot monocristallin avec une grande uniformité de paramètres électriques, des structures de réseau uniques et constantes et une faible densité de défauts, un indice de réfraction plus élevé que la plupart des autres composés non métalliques.Le GaSb peut être traité avec un large choix d'orientation exacte ou non, de concentration dopée faible ou élevée, de bonne finition de surface et pour la croissance épitaxiale MBE ou MOCVD.Le substrat d'antimoniure de gallium est utilisé dans les applications photo-optiques et optoélectroniques les plus avancées telles que la fabrication de photodétecteurs, de détecteurs infrarouges à longue durée de vie, de sensibilité et de fiabilité élevées, de composants photorésistants, de LED et lasers infrarouges, de transistors, de cellules photovoltaïques thermiques et systèmes thermo-photovoltaïques.

Livraison

L'antimoniure de gallium GaSb de Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposé avec une conductivité semi-isolante de type n, de type p et non dopée en taille de 2" 3" et 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diamètre, orientation <111> ou <100>, et avec une finition de surface de plaquette telle que découpée, gravée, polie ou prête pour l'épitaxie de haute qualité.Toutes les tranches sont gravées au laser individuellement pour l'identité.Pendant ce temps, le bloc polycristallin d'antimoniure de gallium GaSb est également personnalisé sur demande pour la solution parfaite.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Antimoniure de gallium

GaSb

Antimoniure de gallium GaSbLe substrat est utilisé dans les applications photo-optiques et optoélectroniques les plus avancées telles que la fabrication de photodétecteurs, de détecteurs infrarouges à longue durée de vie, de sensibilité et de fiabilité élevées, de composants photorésistants, de LED et lasers infrarouges, de transistors, de cellules photovoltaïques thermiques et thermo -systèmes photovoltaïques.

	Articles	Spécification standard
1	Taille	2"	3"	4"
2	Diamètre mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Méthode de croissance	LEC	LEC	LEC
4	Conductivité	Type P/dopé Zn, non dopé, type N/dopé Te
5	Orientation	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Épaisseur μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Plat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Repérage Plat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilité cm2/Vs	200-3500 ou au besoin
10	Porteur Concentration cm-3	(1-100)E17 ou au besoin
11	TTV μm max	15	15	15
12	Arc μm max	15	15	15
13	Chaîne μm max	20	20	20
14	Densité de luxation cm-2 max	500	1000	2000
15	Finition de surface	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Emballage	Récipient de plaquette unique scellé dans un sac en aluminium.

Formule linéaire	GaSb
Masse moléculaire	191.48
Structure en cristal	Mélange de zinc
Apparence	Solide cristallin gris
Point de fusion	710°C
Point d'ébullition	N / A
Densité à 300K	5,61 g/cm³
Déficit énergétique	0,726 eV
Résistivité intrinsèque	1E3 Ω-cm
Numero CAS	12064-03-8
Numéro CE	235-058-8

Antimoniure de gallium GaSbchez Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposé avec une conductivité semi-isolante de type n, de type p et non dopée en taille de 2" 3" et 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diamètre, orientation <111> ou <100 >, et avec une finition de surface de plaquette de finitions prêtes pour l'épitaxie telles que coupées, gravées, polies ou de haute qualité.Toutes les tranches sont gravées au laser individuellement pour l'identité.Pendant ce temps, le bloc polycristallin d'antimoniure de gallium GaSb est également personnalisé sur demande pour la solution parfaite.