Arséniure d'indium InAs

La description

Le cristal d'arséniure d'indium InAs est un semi-conducteur composé du groupe III-V synthétisé par au moins un élément d'indium et d'arsenic pur 6N 7N et un monocristal développé par le procédé VGF ou Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), aspect de couleur grise, cristaux cubiques avec structure en mélange de zinc , point de fusion de 942 °C.La bande interdite de l'arséniure d'indium est une transition directe identique à l'arséniure de gallium, et la largeur de bande interdite est de 0,45eV (300K).Le cristal InAs présente une grande uniformité des paramètres électriques, un réseau constant, une mobilité électronique élevée et une faible densité de défauts.Un cristal cylindrique d'InAs développé par VGF ou LEC peut être tranché et fabriqué en tranche telle que découpée, gravée, polie ou épi-prête pour la croissance épitaxiale MBE ou MOCVD.

Applications

La plaquette de cristal d'arséniure d'indium est un excellent substrat pour la fabrication de dispositifs Hall et de capteur de champ magnétique pour sa mobilité hall suprême mais sa bande interdite d'énergie étroite, un matériau idéal pour la construction de détecteurs infrarouges avec la plage de longueurs d'onde de 1 à 3,8 µm utilisée dans les applications à plus haute puissance. à température ambiante, ainsi que des lasers à super réseau infrarouge à longueur d'onde moyenne, fabrication de dispositifs à LED infrarouge moyen pour sa gamme de longueurs d'onde de 2 à 14 μm.De plus, InAs est un substrat idéal pour soutenir davantage la structure de super réseau hétérogène InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ou AlGaSb, etc.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Arséniure d'indium

EnAs

Plaquette de cristal d'arséniure d'indiumest un excellent substrat pour la fabrication de dispositifs Hall et de capteur de champ magnétique pour sa mobilité hall suprême mais sa bande interdite d'énergie étroite, un matériau idéal pour la construction de détecteurs infrarouges avec la plage de longueurs d'onde de 1 à 3,8 µm utilisée dans les applications à plus haute puissance à température ambiante, ainsi que des lasers à super réseau infrarouge à longueur d'onde moyenne, la fabrication de dispositifs à LED infrarouge moyen pour sa gamme de longueurs d'onde de 2 à 14 μm.De plus, InAs est un substrat idéal pour soutenir davantage la structure de super réseau hétérogène InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ou AlGaSb, etc.

Non.	Articles	Spécification standard
1	Taille	2"	3"	4"
2	Diamètre mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Méthode de croissance	LEC	LEC	LEC
4	Conductivité	Type P/dopé Zn, type N/dopé S, non dopé
5	Orientation	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Épaisseur μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Plat mm	16±2	22±2	32±2
8	Repérage Plat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilité cm2/Vs	60-300, ≥2000 ou selon les besoins
10	Porteur Concentration cm-3	(3-80)E17 ou ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Arc μm max	10	10	10
13	Chaîne μm max	15	15	15
14	Densité de luxation cm-2 max	1000	2000	5000
15	Finition de surface	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Emballage	Récipient de plaquette unique scellé dans un sac en aluminium.

Formule linéaire	EnAs
Masse moléculaire	189,74
Structure en cristal	Mélange de zinc
Apparence	Solide cristallin gris
Point de fusion	(936-942)°C
Point d'ébullition	N / A
Densité à 300K	5,67 g/cm³
Déficit énergétique	0,354 eV
Résistivité intrinsèque	0,16 Ω-cm
Numero CAS	1303-11-3
Numéro CE	215-115-3

Arséniure d'indium InAschez Western Minmetals (SC) Corporation peut être fourni sous forme de bloc polycristallin ou de tranches monocristallines découpées, gravées, polies ou prêtes pour l'épi dans une taille de 2 ", 3" et 4 "(50 mm, 75 mm, 100 mm) de diamètre, et conductivité de type p, de type n ou non dopée et orientation <111> ou <100>.La spécification personnalisée est la solution parfaite pour nos clients du monde entier.