Antimoniure d'indium InSb

La description

IAntimoniure de ndium InSb, un semi-conducteur des composés cristallins du groupe III – V avec une structure de réseau de mélange de zinc, est synthétisé par des éléments d'indium et d'antimoine de haute pureté 6N 7N, et un monocristal développé par la méthode VGF ou la méthode Liquid Encapsulated Czochralski LEC à partir d'un lingot polycristallin raffiné à plusieurs zones, qui peut être découpé en tranches et fabriqué en plaquette et bloc par la suite.InSb est un semi-conducteur à transition directe avec une bande interdite étroite de 0,17 eV à température ambiante, une sensibilité élevée à une longueur d'onde de 1 à 5 μm et une mobilité hall ultra élevée.Antimoniure d'indium InSb La conductivité de type n, de type p et semi-isolante de Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposée dans des tailles de 1″ 2″ 3″ et 4″ (30 mm, 50 mm, 75 mm, 100 mm) de diamètre, orientation < 111> ou <100>, et avec une finition de surface de plaquette telle que découpée, rodée, gravée et polie.Une cible Indium Antimonide InSb de Dia.50-80mm avec un type n non dopé est également disponible.Pendant ce temps, l'antimoniure d'indium polycristallin InSb (InSb multicristallin) avec une taille de morceau irrégulier, ou un blanc (15-40) x (40-80) mm, et une barre ronde de D30-80 mm sont également personnalisés sur demande pour la solution parfaite.

Application

L'antimoniure d'indium InSb est un substrat idéal pour la production de nombreux composants et dispositifs de pointe, tels que la solution d'imagerie thermique avancée, le système FLIR, l'élément hall et l'élément à effet de magnétorésistance, le système de guidage de missile à tête chercheuse infrarouge, le capteur photodétecteur infrarouge hautement réactif , capteur de résistivité magnétique et rotatif de haute précision, réseaux plans focaux, et également adapté comme source de rayonnement térahertz et dans le télescope spatial astronomique infrarouge, etc.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Antimoniure d'indium

InSb

Substrat d'antimoniure d'indium(substrat InSb, plaquette InSb) Le type n ou le type p chez Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposé en taille de 1" 2" 3" et 4" (30, 50, 75 et 100 mm) de diamètre, orientation <111> ou <100>, et avec une surface de plaquette de finitions rodées, gravées et polies Une barre monocristalline d'antimoniure d'indium (barre monocristalline InSb) peut également être fournie sur demande.

Antimoniure d'indiumPolycristallin (InSb polycristallin ou multicristallin InSb) avec une taille de morceau irrégulier, ou un blanc (15-40) x (40-80) mm sont également personnalisés sur demande pour la solution parfaite.

Pendant ce temps, la cible d'antimoniure d'indium (cible InSb) de Dia.50-80mm avec un type n non dopé est également disponible.

Non.	Articles	Spécification standard
1	Substrat d'antimoniure d'indium	2"	3"	4"
2	Diamètre mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Méthode de croissance	LEC	LEC	LEC
4	Conductivité	Type P/Zn, dopé Ge, type N/dopé Te, non dopé
5	Orientation	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Épaisseur μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Plat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Repérage Plat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilité cm2/Vs	1-7E5 N/non dopé, 3E5-2E4 dopé N/Te, 8-0.6E3 ou ≤8E13 dopé P/Ge
10	Porteur Concentration cm-3	6E13-3E14 N/non dopé, 3E14-2E18 N/Te dopé, 1E14-9E17 ou <1E14 P/Ge dopé
11	TTV μm max	15	15	15
12	Arc μm max	15	15	15
13	Chaîne μm max	20	20	20
14	Densité de luxation cm-2 max	50	50	50
15	Finition de surface	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Emballage	Récipient de plaquette unique scellé dans un sac en aluminium.

Non.	Articles	Spécification standard
Non.	Articles	IAntimoniure de ndium Polycristallin	Cible d'antimoniure d'indium
1	Conductivité	Non dopé	Non dopé
2	Porteur Concentration cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilité cm²/Contre	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Taille	15-40x40-80mm	D(50-80) mm
5	Emballage	Dans un sac en aluminium composite, boîte en carton à l'extérieur

Formule linéaire	InSb
Masse moléculaire	236,58
Structure en cristal	Mélange de zinc
Apparence	Cristaux métalliques gris foncé
Point de fusion	527 °C
Point d'ébullition	N / A
Densité à 300K	5,78 g/cm³
Déficit énergétique	0,17 eV
Résistivité intrinsèque	4E(-3) Ω-cm
Numero CAS	1312-41-0
Numéro CE	215-192-3

Antimoniure d'indium InSbLa plaquette est un substrat idéal pour la production de nombreux composants et dispositifs de pointe, tels que la solution d'imagerie thermique avancée, le système FLIR, l'élément hall et l'élément à effet de magnétorésistance, le système de guidage de missile à tête chercheuse infrarouge, le capteur photodétecteur infrarouge hautement réactif, haute -Capteur de résistivité magnétique et rotatif de précision, réseaux plans focaux, et également adapté comme source de rayonnement térahertz et dans le télescope spatial astronomique infrarouge, etc.