Arséniure de gallium GaAs

La description

Arséniure de galliumAsGa est un semi-conducteur composé à bande interdite directe du groupe III-V synthétisé par au moins 6N 7N d'élément de gallium et d'arsenic de haute pureté, et cristal développé par le procédé VGF ou LEC à partir d'arséniure de gallium polycristallin de haute pureté, aspect de couleur grise, cristaux cubiques à structure de mélange de zinc.Avec le dopage du carbone, du silicium, du tellure ou du zinc pour obtenir respectivement une conductivité de type n ou de type p et semi-isolante, un cristal InAs cylindrique peut être tranché et fabriqué en blanc et en plaquette en coupe, gravé, poli ou épi -prêt pour la croissance épitaxiale MBE ou MOCVD.La plaquette d'arséniure de gallium est principalement utilisée pour fabriquer des dispositifs électroniques tels que des diodes électroluminescentes infrarouges, des diodes laser, des fenêtres optiques, des transistors à effet de champ FET, des circuits intégrés numériques et des cellules solaires.Les composants GaAs sont utiles dans les radiofréquences ultra-élevées et les applications de commutation électronique rapide, les applications d'amplification de signal faible.De plus, le substrat d'arséniure de gallium est un matériau idéal pour la fabrication de composants RF, de circuits intégrés micro-ondes et monolithiques, et de dispositifs LED dans les communications optiques et les systèmes de contrôle pour sa mobilité de hall saturante, sa puissance élevée et sa stabilité en température.

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L'arséniure de gallium GaAs de Western Minmetals (SC) Corporation peut être fourni sous forme de bloc polycristallin ou de plaquette monocristalline dans des plaquettes brutes de coupe, gravées, polies ou prêtes pour l'épi dans une taille de 2" 3" 4" et 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) de diamètre, avec une conductivité de type p, de type n ou semi-isolante et une orientation <111> ou <100>.La spécification personnalisée est la solution parfaite pour nos clients du monde entier.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Arséniure de gallium

AsGa

Arséniure de gallium GaAsLes tranches sont principalement utilisées pour fabriquer des dispositifs électroniques tels que des diodes électroluminescentes infrarouges, des diodes laser, des fenêtres optiques, des transistors à effet de champ FET, des circuits intégrés numériques et des cellules solaires.Les composants GaAs sont utiles dans les radiofréquences ultra-élevées et les applications de commutation électronique rapide, les applications d'amplification de signal faible.De plus, le substrat d'arséniure de gallium est un matériau idéal pour la fabrication de composants RF, de circuits intégrés micro-ondes et monolithiques, et de dispositifs LED dans les communications optiques et les systèmes de contrôle pour sa mobilité de hall saturante, sa puissance élevée et sa stabilité en température.

Non.	Articles	Spécification standard
1	Taille	2"	3"	4"	6"
2	Diamètre mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0.5	150±0.5
3	Méthode de croissance	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Type de conductivité	Type N/Si ou dopé Te, type P/dopé Zn, semi-isolant/non dopé
5	Orientation	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	Épaisseur μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientation Plat mm	17±1	22±1	32±1	Entailler
8	Repérage Plat mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Résistivité Ω-cm	(1-9)E(-3) pour type p ou type n, (1-10)E8 pour semi-isolant
10	Mobilité cm2/vs	50-120 pour le type p, (1-2.5)E3 pour le type n, ≥4000 pour semi-isolant
11	Porteur Concentration cm-3	(5-50)E18 pour le type p, (0.8-4)E18 pour le type n
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Arc μm max	30	30	30	30
14	Chaîne μm max	30	30	30	30
15	DEP cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Finition de surface	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Emballage	Récipient de plaquette unique scellé dans un sac composite en aluminium.
18	Remarques	Une tranche de GaAs de qualité mécanique est également disponible sur demande.

Formule linéaire	AsGa
Masse moléculaire	144,64
Structure en cristal	Mélange de zinc
Apparence	Solide cristallin gris
Point de fusion	1400°C, 2550°F
Point d'ébullition	N / A
Densité à 300K	5,32 g/cm³
Déficit énergétique	1,424 eV
Résistivité intrinsèque	3.3E8 Ω-cm
Numero CAS	1303-00-0
Numéro CE	215-114-8

Arséniure de gallium GaAschez Western Minmetals (SC) Corporation peut être fourni sous forme de bloc polycristallin ou de plaquette monocristalline dans des plaquettes découpées, gravées, polies ou prêtes pour l'épi dans une taille de 2 ", 3" 4 "et 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm , 150 mm) de diamètre, avec une conductivité de type p, de type n ou semi-isolante, et une orientation <111> ou <100>.La spécification personnalisée est la solution parfaite pour nos clients du monde entier.