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Plaquette de silicium épitaxiale (EPI)

La description

Plaquette de silicium épitaxialeou EPI Silicon Wafer, est une plaquette de couche de cristal semi-conducteur déposée sur la surface cristalline polie d'un substrat de silicium par croissance épitaxiale.La couche épitaxiale peut être le même matériau que le substrat par croissance épitaxiale homogène, ou une couche exotique avec une qualité souhaitable spécifique par croissance épitaxiale hétérogène, qui adopte la technologie de croissance épitaxiale comprenant le dépôt chimique en phase vapeur CVD, l'épitaxie en phase liquide LPE, ainsi que le faisceau moléculaire épitaxie MBE pour obtenir la plus haute qualité de faible densité de défauts et une bonne rugosité de surface.Les tranches épitaxiales de silicium sont principalement utilisées dans la production de dispositifs à semi-conducteurs avancés, de circuits intégrés à éléments semi-conducteurs hautement intégrés, de dispositifs discrets et de puissance, également utilisés pour les éléments de diode et de transistor ou de substrat pour les circuits intégrés tels que les dispositifs de type bipolaire, MOS et BiCMOS.De plus, les tranches de silicium EPI épitaxiales à couches multiples et à couches épaisses sont souvent utilisées dans les applications microélectroniques, photoniques et photovoltaïques.

Livraison

Les plaquettes de silicium épitaxiales ou plaquettes de silicium EPI de Western Minmetals (SC) Corporation peuvent être proposées en tailles de 4, 5 et 6 pouces (100 mm, 125 mm, 150 mm de diamètre), avec une orientation <100>, <111>, une résistivité de l'épicouche de <1ohm -cm ou jusqu'à 150ohm-cm, et une épaisseur d'épicouche <1um ou jusqu'à 150um, pour satisfaire les diverses exigences de finition de surface du traitement gravé ou LTO, emballé dans une cassette avec une boîte en carton à l'extérieur, ou comme spécification personnalisée pour la solution parfaite .

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Plaquette de silicium Epi

Plaquettes de silicium épitaxialesou EPI Silicon Wafer de Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposé en taille de 4, 5 et 6 pouces (100 mm, 125 mm, 150 mm de diamètre), avec une orientation <100>, <111>, une résistivité de l'épicouche de <1ohm-cm ou jusqu'à 150 ohm-cm et une épaisseur d'épicouche de <1 um ou jusqu'à 150 um, pour répondre aux diverses exigences de finition de surface du traitement gravé ou LTO, emballé dans une cassette avec une boîte en carton à l'extérieur, ou comme spécification personnalisée pour la solution parfaite.

Symbole	Si
Numéro atomique	14
Poids atomique	28.09
Catégorie d'élément	Métalloïde
Groupe, Période, Bloc	14, 3, P
Structure en cristal	diamant
Couleur	Gris foncé
Point de fusion	1414°C, 1687.15K
Point d'ébullition	3265°C, 3538.15K
Densité à 300K	2,329 g/cm³
Résistivité intrinsèque	3.2E5 Ω-cm
Numero CAS	7440-21-3
Numéro CE	231-130-8

Non.	Articles	Spécification standard
1	Caractéristiques générales
1-1	Taille	4"	5"	6"
1-2	Diamètre mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	Orientation	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Caractéristiques de la couche épitaxiale
2-1	Méthode de croissance	MCV	MCV	MCV
2-2	Type de conductivité	P ou P+, N/ ou N+	P ou P+, N/ ou N+	P ou P+, N/ ou N+
2-3	Épaisseur μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Uniformité d'épaisseur	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Résistivité Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Uniformité de résistivité	≤3%	≤5%	-
2-7	Luxation cm-2	<10	<10	<10
2-8	Qualité de surface	Pas de copeaux, de brume ou de peau d'orange, etc.
3	Manipuler les caractéristiques du substrat
3-1	Méthode de croissance	CZ	CZ	CZ
3-2	Type de conductivité	N/P	N/P	N/P
3-3	Épaisseur μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Épaisseur Uniformité max	3%	3%	3%
3-5	Résistivité Ω-cm	Comme demandé	Comme demandé	Comme demandé
3-6	Uniformité de résistivité	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	Arc μm max	30	30	30
3-9	Chaîne μm max	30	30	30
3-10	DEP cm-2 max	100	100	100
3-11	Profil de bord	Arrondi	Arrondi	Arrondi
3-12	Qualité de surface	Pas de copeaux, de brume ou de peau d'orange, etc.
3-13	Finition du verso	Gravé ou LTO (5000±500Å)
4	Emballage	Cassette à l'intérieur, boîte en carton à l'extérieur.

Plaquettes épitaxiales de siliciumsont principalement utilisés dans la production de dispositifs semi-conducteurs avancés, de circuits intégrés à éléments semi-conducteurs hautement intégrés, de dispositifs discrets et de puissance, également utilisés pour les éléments de diode et de transistor ou de substrat pour circuits intégrés tels que les dispositifs de type bipolaire, MOS et BiCMOS.De plus, les tranches de silicium EPI épitaxiales à couches multiples et à couches épaisses sont souvent utilisées dans les applications microélectroniques, photoniques et photovoltaïques.