Plaquette de silicium CZ

La description

Plaquette de silicium monocristallin CZ est tranché à partir d'un lingot de silicium monocristallin tiré par la méthode de croissance Czochralski CZ, qui est la plus largement utilisée pour la croissance de cristaux de silicium de gros lingots cylindriques utilisés dans l'industrie électronique pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteurs.Dans ce processus, un mince germe de silicium cristallin avec des tolérances d'orientation précises est introduit dans le bain fondu de silicium dont la température est contrôlée avec précision.Le germe cristallin est lentement tiré vers le haut de la masse fondue à une vitesse très contrôlée, la solidification cristalline des atomes d'une phase liquide se produit à une interface, le germe cristallin et le creuset sont mis en rotation dans des directions opposées au cours de ce processus de retrait, créant un grand seul silicium cristallin avec la structure cristalline parfaite de la graine.

Grâce au champ magnétique appliqué à l'extraction de lingot CZ standard, le silicium monocristallin Czochralski MCZ induit par champ magnétique présente une concentration d'impuretés comparativement plus faible, un niveau et une dislocation d'oxygène inférieurs et une variation de résistivité uniforme qui fonctionne bien dans les composants et appareils électroniques de haute technologie. fabrication dans les industries électroniques ou photovoltaïques.

Livraison

La conductivité de type n et de type p de la plaquette de silicium monocristallin CZ ou MCZ de Western Minmetals (SC) Corporation peut être livrée en taille de 2, 3, 4, 6, 8 et 12 pouces de diamètre (50, 75, 100, 125, 150, 200 et 300 mm), orientation <100>, <110>, <111> avec finition de surface rodée, gravée et polie dans un emballage de boîte en mousse ou de cassette avec boîte en carton à l'extérieur.

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Détails

Mots clés

Spécifications techniques

Plaquette de silicium CZ

Plaquette de silicium monocristallin CZ est le matériau de base dans la production de circuits intégrés, de diodes, de transistors, de composants discrets, utilisé dans tous les types d'équipements électroniques et de dispositifs à semi-conducteurs, ainsi que de substrat dans le traitement épitaxial, le substrat de tranche SOI ou la fabrication de tranches composées semi-isolantes, particulièrement grandes diamètre de 200 mm, 250 mm et 300 mm sont optimaux pour la fabrication de dispositifs ultra hautement intégrés.Le silicium monocristallin est également utilisé pour les cellules solaires en grande quantité par l'industrie photovoltaïque, dont la structure cristalline presque parfaite donne le rendement de conversion lumière-électricité le plus élevé.

Non.	Articles	Spécification standard
1	Taille	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diamètre mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0.5	150±0.5	200±0,5	300±0,5
3	Conductivité	P ou N ou non dopé
4	Orientation	<100>, <110>, <111>
5	Épaisseur μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ou selon les besoins
6	Résistivité Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 etc.
7	VRR max	8%, 10%, 12%
8	Primaire Plat/Longueur mm	Comme norme SEMI ou selon les besoins
9	Secondaire Plat/Longueur mm	Comme norme SEMI ou selon les besoins
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Finition de surface	Tel que coupé, L/L, P/E, P/P
13	Emballage	Boîte en mousse ou cassette à l'intérieur, boîte en carton à l'extérieur.

Symbole	Si
Numéro atomique	14
Poids atomique	28.09
Catégorie d'élément	Métalloïde
Groupe, Période, Bloc	14, 3, P
Structure en cristal	diamant
Couleur	Gris foncé
Point de fusion	1414°C, 1687.15K
Point d'ébullition	3265°C, 3538.15K
Densité à 300K	2,329 g/cm³
Résistivité intrinsèque	3.2E5 Ω-cm
Numero CAS	7440-21-3
Numéro CE	231-130-8

Plaquette de silicium monocristallin CZ ou MCZLa conductivité de type n et de type p chez Western Minmetals (SC) Corporation peut être livrée en taille de 2, 3, 4, 6, 8 et 12 pouces de diamètre (50, 75, 100, 125, 150, 200 et 300 mm), orientation <100>, <110>, <111> avec une finition de surface telle que découpée, rodée, gravée et polie dans un emballage de boîte en mousse ou de cassette avec une boîte en carton à l'extérieur.