La description
Plaquette de silicium FZ-NTD, connue sous le nom de plaquette de silicium dopée par transmutation de neutrons à zone flottante.Le silicium sans oxygène, de haute pureté et de résistivité la plus élevée peut être obtenu by Croissance cristalline Float-zone FZ (Zone-Floating), HLe cristal de silicium FZ à haute résistivité est souvent dopé par le procédé de dopage par transmutation neutronique (NTD), dans lequel une irradiation neutronique sur du silicium de zone flottante non dopé pour fabriquer des isotopes de silicium piégés avec des neutrons, puis se désintègre dans les dopants souhaités pour atteindre l'objectif de dopage.En ajustant le niveau de rayonnement neutronique, la résistivité peut être modifiée sans introduire de dopants externes et donc en garantissant la pureté du matériau.Les tranches de silicium FZ NTD (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) ont des propriétés techniques premium de concentration de dopage uniforme et de distribution de résistivité radiale uniforme, des niveaux d'impuretés les plus bas,et durée de vie élevée des porteurs minoritaires.
Livraison
En tant que fournisseur leader du marché du silicium NTD pour les applications d'alimentation prometteuses, et suite à la demande croissante de tranches de qualité supérieure, la tranche de silicium supérieure FZ NTDchez Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposé à nos clients du monde entier dans différentes tailles allant de 2″, 3″, 4″, 5″ et 6″ de diamètre (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm et 150 mm) et une large gamme de résistivité 5 à 2000 ohm.cm dans les orientations <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> avec finition de surface brute de coupe, rodée, gravée et polie dans un emballage de boîte en mousse ou de cassette , ou comme spécification personnalisée à la solution parfaite.
Spécifications techniques
En tant que fournisseur leader du marché du silicium FZ NTD pour les applications d'alimentation prometteuses, et suite à la demande croissante de tranches de qualité supérieure, la tranche de silicium FZ NTD supérieure de Western Minmetals (SC) Corporation peut être proposée à nos clients du monde entier dans différentes tailles allant de 2 ″ à 6″ de diamètre (50, 75, 100, 125 et 150mm) et large plage de résistivité 5 à 2000 ohm-cm en <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> avec finition de surface rodée, gravée et polie dans un emballage de boîte en mousse ou de cassette, une boîte en carton à l'extérieur ou selon les spécifications personnalisées pour la solution parfaite.
Non. | Articles | Spécification standard | ||||
1 | Taille | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" |
2 | Diamètre | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0.5 | 125±0.5 | 150±0.5 |
3 | Conductivité | type n | type n | type n | type n | type n |
4 | Orientation | <100>, <111>, <110> | ||||
5 | Épaisseur μm | 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ou selon les besoins | ||||
6 | Résistivité Ω-cm | 36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 ou selon les besoins | ||||
7 | VRR max | 8%, 10%, 12% | ||||
8 | TTV μm max | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
9 | Bow/Warp μm max | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
10 | Durée de vie de la porteuse μs | >200, >300, >400 ou selon les besoins | ||||
11 | Finition de surface | Comme coupé, rodé, poli | ||||
12 | Emballage | Boîte en mousse à l'intérieur, boîte en carton à l'extérieur. |
Paramètre de matériau de base
Symbole | Si |
Numéro atomique | 14 |
Poids atomique | 28.09 |
Catégorie d'élément | Métalloïde |
Groupe, Période, Bloc | 14, 3, P |
Structure en cristal | diamant |
Couleur | Gris foncé |
Point de fusion | 1414°C, 1687.15K |
Point d'ébullition | 3265°C, 3538.15K |
Densité à 300K | 2,329 g/cm3 |
Résistivité intrinsèque | 3.2E5 Ω-cm |
Numero CAS | 7440-21-3 |
Numéro CE | 231-130-8 |
Plaquette de silicium FZ-NTDest d'une importance primordiale pour les applications dans les technologies de détection à haute puissance et dans les dispositifs à semi-conducteurs qui doivent fonctionner dans des conditions extrêmes ou lorsqu'une faible variation de résistivité à travers la tranche est requise, comme le thyristor à déclenchement de grille GTO, le thyristor à induction statique SITH, le géant transistor GTR, transistor bipolaire à grille isolante IGBT, diode HT supplémentaire PIN.La plaquette de silicium de type n FZ NTD est également le principal matériau fonctionnel pour divers convertisseurs de fréquence, redresseurs, éléments de commande de grande puissance, nouveaux appareils électroniques de puissance, appareils photoélectroniques, redresseur de silicium SR, SCR de contrôle de silicium et composants optiques tels que lentilles et fenêtres pour les applications térahertz.
Conseils d'approvisionnement
Plaquette de silicium FZ NTD